衡量半導體激光器件質量的技術指標包括輸出功率、峰值功率、脈沖寬度、功率穩定性、功率～電流曲線、發光效率、閾值電流、工作電流和工作壽命等。其中．轅出功率和峰值功率都是關鍵的指標，也是進行上述各參量測試的基礎，因此功率和峰值功率測試是首要解決的問題。
與其它激光輸出不同的是半導體激光由于衍射效應光束發射角極大(可達幾十度)。這就給測試帶來了的難度，用現有的儀器，幾乎無法對其進行直接測試。
根據半導體激光器的特點．我們采用積分球原理．使被測激光通過積分球入孔進入經漫反射處理的球內后，在球內壁多次漫反射從而在球表面上形成均勻光強分布區與入射激光成線性關系。在積分球出孔處放置一光電型探測器測量此處的功率即可得出進入積分球的激光功率值。整套測試系統由積分球、功率采樣、電流采樣、波形采樣及數據處理幾個單元組成，功率測量范圍可達2cw，波長范圍400—1100nm．可以對器件進行全參量測量，包擴激光平均功率及穩定性、峰值功率、脈沖寬度、工作電流、P—I曲線、發光效率、閾值電流。整個系統的設計關鍵是積分球，設計時必須考慮衰減比與腔體尺寸、腔內表面涂層一必須確保涂敷物達到朗伯漫射體的要求。還必須考慮涂層的穩定性這是影響測量重復性的關鍵因素。
半導體激光參量技術的發展目標集中在研制開發低成本的中小功率計、大功率測量儀器及高頻響應的光電接收器件。國外用于半導體激光測試商品化的探測器已做到在可見光區60GHz，紅外光區45GHz
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