相對于傳統的 KD*P 電光調制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系 數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。相對于RTP 電光 調制晶體，BBO 晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度時應系，有利于提高激光輸出 功率穩定性。因此，由BBO 晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率（高達800KHz）， 高功率（高達900W）的電光調Q 激光器，腔倒空調Q 激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大系統中。

產品特點

高重復頻率，可達500KHZ

高峰值功率抗損值

低吸收率

高紫外波段透過率

高精度低噪點

規格參數：

最大截面 12 x 12 mm2

最小截面2 x 2mm2

最大長度 25 + 25 mm

常規長度20mm

平面度λ/10 @ 633nm

透過畸變λ/8 @ 633nm

光學平行< 20 arc sec.

側垂< 5 arc sec.

光潔度10-5 膜后20-10

端面鍍膜210-2000nm可訂制

抗光傷閾值600MW/cm2 @10ns，10Hz，1064nm